Samsung, Teksas'ta gelişmiş bir yarı iletken çip fabrikası kuruyor ve 2026'da 2nm ve 3nm çip üretimine başlamayı planlıyor.
2026'da çip üretimine başlayacak
Samsung Foundry, 2026'da Teksas'ın Taylor kentindeki fabrikasında 2nm ve 3nm çip üretimine başlayacak. TSMC, Arizona tesisinde 4nm çip üretimine başlarken, yıl sonuna kadar 2nm ve 3nm çip üretimine de hazır olacak. Samsung, GAA teknolojisini kullanacak, TSMC ise 3nm için EUV ve 2nm için GAA teknolojisini tercih edecek.
Samsung Foundry, 2nm ve 3nm çipler için Gate All Around (GAA) teknolojisini kullanmayı planlarken, TSMC 3nm işlem düğümü için EUV teknolojisini, 2nm işlemi için ise GAA'yı kullanacak.
TSMC'ye göre biraz geç kalsa da, Samsung AI çipleri için optimize edilmiş 'turnkey' hizmeti sunarak fark yaratmayı planlıyor. Bu hizmet sayesinde, geliştirmeden üretime kadar geçen süreyi %20 azaltmayı hedefliyorlar.
Samsung, 2030 yılına kadar yarı iletken çiplerde dünya lideri olma hedefi olan Vision 2030 planını birkaç yıl önce açıklamıştı. Ancak, teknolojik sorunlar, stratejik hatalar ve siyasi durumlar nedeniyle bazı aksilikler yaşadı.
Analistler, Samsung Foundry'nin Samsung Electronics'ten ayrılması halinde daha başarılı olacağını öne sürüyorlar. Ancak Samsung Electronics Başkanı Lee Jay-yong, birkaç ay önce şirketin dökümhane bölümünü ayırmayacağını belirtti.